低介、高Q的介质材料在通讯、雷达等领域有广泛的应用，新颖的介质材料的研发倍受关注。本文根据硅族、铝族元素的结构特点，以锗酸盐、镓铝酸盐为研究对象，用固相法制备陶瓷材料，利用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、热重分析仪（TG/DSC）和网络分析仪等仪器，研究Mg₂GeO₄系和Zn(Al_1-xGa_x)₂O₄系的烧结性、物相组成、微观结构和介电性能之间的关系。1.用固相合成法制备Mg₂GeO₄粉体，研究表明：正交结构的Mg₂GeO₄陶瓷具有宽的烧结区间，在1000～1450°C下均为稳定化合物。在1450°C时，Mg₂GeO₄陶瓷的微波介电性能为：εr＝5.48，Q×f=11,000GHz，τf=-27.6ppm/°C。在1000°C下，掺杂3.00wt.%B₂O₃的Mg₂GeO₄陶瓷无杂质相出现，并具有优异的微波介电性能，Q×f值为未添加时的4倍（44,626GHz）。掺杂3.00wt.%的B₂O₃在1050¹300°C的温度范围下均为纯相，结构致密，晶粒均匀。在1250°C时，掺杂量为3.00wt.%的Mg₂GeO₄陶瓷的介电性能：εr=6.76，Q×f=95,028GHz（15.33GHz），τf=-28.73ppm/°C。B₂O₃的加入能有效提高Mg₂GeO₄陶瓷综合介电性能，Mg₂GeO₄陶瓷在较宽的温度下保持稳定的介电性能，特别是τf值在整个烧结区间内显示为较小的负值，对温度不敏感。2.固相合成法制备尖晶石Zn(Al_1-xGa_x)₂O₄固溶体，随x值增大，体系物无第二相出现，XRD衍射峰偏移规律符合布拉格定律，Ga2O3的加入，有利于指导固溶体的定向生长，提高致密度、介电性能。当x=0.8时，1450°C下具有最大的Q×f值，介电性能为：εγ=10.1，Q×f=76,000GHz（12.992GHz），τf=–36ppm/°C。而x=0.6时，Q×f值在1400～1500°C区间内保持在55,000GHz以上，而介电常数εγ在9.83与9.85之间微微波动，谐振温度系数τf值为-30.93^-30.87ppm/°C。说明x=0.6时，Zn(Al_1-xGa_x)₂O₄固溶体的性能较稳定。本论文采用多种分析检测方法对物相组成，微观结构进行分析，研究了掺杂量、固溶量和烧结温度对陶瓷的微波介电性能的影响，开展了锗酸盐、新型尖晶石固溶体在低介微波陶瓷领域的应用，对今后新型的低介微波介电陶瓷的研究有一定的参考价值和指导意义。