被誉为第三代半导体材料的SiC、GaN等宽禁带(Wide-Band-Gap)半导体材料具有高的击穿电压、很高的热导率、明显高于其它材料的电子饱和速率和极佳的抗辐射能力,非常适合制作高温,高频和大功率器件。目前传统半导体器件的发展已经接近应用极限,特别是在高频、高温领域,对宽禁带半导体器件的研究必将成为影响电子通讯行业的热点。与A类,B类,AB类,C类放大器这些有固定偏置点的工作模式不同,本文重点设计及介绍的E类,F类功率放大器效率的改善是由非线性条件实现的,有源器件既工作在夹断区,同样也工作在饱和区,电流电压半周期出现峰值且不同时为零,器件近似为“开关”的效果,其功率耗散达到最小,从而实现高效率传输。通过对这一类型功率放大器基本原理的分析,得到了微带化实现匹配电路的新方法。用Advanced Design System2005仿真了几款工作在L及S波段的高效率放大器,分析它们的基波和高次谐波功率频谱特性,以及在大信号模型下的稳定性。最后,通过对投版样品进行测试,各项指标与软件仿真结果基本吻合,验证了设计方法的可靠性。