铁电性通常由电滞回线判定，并且用电滞回线定义的极化参数来描述。但是电滞回线具有不闭合的特性且包含有各种非铁电性贡献，使得结果不够确切。本文采用微分电滞回线代替传统的电滞回线方法来描述铁电性，并用此来表征铁电体的极化疲劳效应和历史记忆效应。 　　测量了锆钛酸铅陶瓷(PZT)和铁酸铋(BFO)薄膜的微分回线，回线可用若干个高斯函数很好地拟合。PZT陶瓷的微分回线间接证明其中准同型相界的存在。将微分回线积分可得到电滞回线，实验证明，PZT的电滞回线是不闭合的。同样地，微分回线还能证明BFO薄膜中铁电性和铁磁性的同时存在。 　　因此，论文根据微分回线定义了一组描述铁电性的新参数，称为铁电参数。并测量了PZT陶瓷中这些参数随温度的变化规律，以及样品所经历的热力学史对这些参数的影响，从而观察到铁电体中存在的历史记忆效应。 　　最后，测量了陶瓷样品在脉冲反转信号下的响应特性，从中分出快和慢两种效应的贡献。并利用微分谱分析方法研究了极化反转次数对样品铁电参数的影响，观察到由缺陷对畴的钉扎效应引起的疲劳现缘。