作为光刻工艺中的主要缺陷之一，光刻胶倒胶缺陷对于最终的产品良率有着极大的影响。光刻胶倒胶缺陷的产生，很大一部分原因是由于晶圆表面接触角不佳。光刻的六甲基二硅胺烷（HMDS）涂布工艺正是改善晶圆表面接触角的关键步骤。本课题的研究目的在于通过硬件参数的调整，进一步提高和优化光刻HMDS涂布工艺的能力，解决功率MOS产品A特殊图形的倒胶问题，提高产品良率。本课题的意义在于目前国内外各工厂对于HMDS涂布工艺能力的提高主要基于对工艺程式的优化调整，而对于HMDS涂布腔本身的硬件参数条件并未有所改善，基本使用设备供应商所提供的标准参数。对硬件参数条件对于工艺能力的影响的研究非常缺乏。在这样的条件下，对于整个HMDS涂布工艺能力的提高程度有限且具有相当的局限性。通过硬件参数的调整，提高光刻HMDS涂布工艺的能力，解决特殊图形的倒胶问题，提高产品良率。并通过实验得到相关硬件参数与HMDS涂布工艺能力之间的关系，来获得最好的硬件参数条件。通过设计实验，确定HMDS蒸汽浓度、反应腔体真空度、HMDS蒸汽更新速率与接触角之间的关系。以鼓泡式HMDS药液罐为例，找出鼓泡氮气压力与稀释氮气压力与HMDS蒸汽浓度之间的关系。并随之找出两者对于接触角的影响。通过实验找出HMDS蒸汽流量与反应腔体排气量对于HMDS蒸汽速率的影响，并找出该两者对于接触角的影响。实验得出对于该功率MOS而言最优的硬件设定（鼓泡氮气压力、稀释氮气压力、反应腔体真空度、蒸汽流量、反应腔体排气量）。实验结果证明本课题研究获得的硬件参数条件应用于实际生产能够改进HMDS涂布工艺能力，对倒胶现象的解决起到很大的作用。