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首先,采用正交试验法讨论了主要参数溶液流速、过饱和度和温度对硫酸钾晶体生长速率的影响.通过级差法和方差分析可知：过饱和度对晶体生长速率的影响最大,溶液流速次之,而生长温度的影响最小.其后又详细考察了各因素对粒度在L=200-1000μm范围内的硫酸钾晶体的生长过程,通过非线性回归的方法得到了各个因素对晶体生长速率的影响方程式.然后,应用环境扫描电子显微镜观察了粒度小于100μm的硫酸钾小晶体的生长过程.