在半导体湿法清洗中,硫酸与双氧水混合体系(简称SPM)常用以光阻的去除工艺和清洗,是比较成熟的工艺,然而实践中发现SPM对光阻的去除和清洗还很是会出现很多异常的问题,尤其对11μm DRAM技术中深沟壑底部光阻残余物有着较大的缺陷。本文从生产实践中出现的缺陷出发,分析了混和体系中影响光阻去除的主要组分----过氧化硫酸,并通过实验分析了各个因素对过氧化硫酸浓度的影响。根据目前广泛应用于生产中的技术,介绍如何对相关因素进行控制调节,给得到稳定而良好的光阻去除效果。主要针对0.11DRAM电容的制造工艺中光阻去除所遇到深沟壑底部光阻残余,通过大量的的对比性实验,进行排查与分析,并利用各种先进的实验的设备和器材,Wet bench,高倍度电子扫描设备,先进的光学仪器和缺陷分析设备等。最终找到了深沟壑底部光阻去除的关键因素:过氧化硫酸的浓度。并通过提高硫酸预存槽的温度设定及按时补给双氧水的方式,优化了现有去除光阻的工艺。在优化工艺实行后,能有效得去除深沟壑底部光阻,最终达到良率提升的目的。