随着集成电路技术的飞速发展，集成度越来越高，特征尺寸越来越小，导致了结构的立体化，布线多层化。这就对内部层与层之间的表面要求更高，尤其是层表面的平整度，而传统的抛光工艺已不能满足这一要求，而化学机械抛光技术不仅能满足这种要求，而且能够减少缺陷，还可以通过提高表面平整度来提高套刻精度，从而达到减小特征尺寸提高集成度的目的。 化学机械抛光工艺中应用最广的是层间介质抛光，二氧化硅是最常用的层间介质，因此对它的研究也就成为目前工作的重点。本课题选定二氧化硅介质的化学机械抛光技术为研究方向，针对氧化铈磨料的高速率的特性，采用氧化铈为磨料，通过大量实验，对二氧化硅介质的抛光液的配置进行了深入的研究，通过制备氧化铈胶体抛光液，解决了粉碎性氧化铈磨料容易引起划伤的缺点，并对工艺参数进行了优化调整；对其机理进行了深入探讨；本课题所作的工作必将促进化学机械抛光工艺早日实现规模化应用，推动集成电路工业的发展。