飞行器运行于地球空间轨道时，与空间带电离子发生相互作用，产生各种威胁飞行器安全的空间辐射效应。超辐射发光二极管作为空间飞行器上的重要器件，同样受到带电离子的辐射损伤，从而造成器件性能下降。因此，为了保证超辐射发光二极管正常工作，有必要提高器件抗辐照能力。论文主要内容有：　　 介绍了超辐射发光二极管的工作原理、器件结构和组件组成；系统分析了空间辐射环境及其可能产生的辐射效应。不同空间离子辐照时会在器件中产生不同的辐照效应，开展了辐照效应损伤机理研究，并对超辐射发光二极管进行抗辐射加固。　　 采用了基于蒙特卡罗方法的SRIM(The Stopping and Range of Ions inMatter)和MCNP(Monte Carlo Neutron and Photo Transport Code)程序进行模拟计算，介绍了蒙特卡罗方法的基本原理及优点，然后介绍了蒙特卡罗程序SRIM和MCNP软件的使用方法和物理模型建立。　　 选择质子和氦离子，采用SRIM程序对半导体材料和光电器件的位移损伤进行模拟计算，通过比较不同能量的离子在超辐射发光二极管有源层中非电离能损的大小来衡量质子和氦离子对器件的辐射损伤程度。模拟了不同能量氦离子对半导体材料辐射损伤及质子和氦离子对超辐射发光二极管的辐射损伤，并将3.5MeV和5.5MeV质子对超辐射发光二极管的辐射损伤模拟结果与地面试验模拟结果进行了对比，证实了3.5MeV能量质子比5.5MeV质子对超辐射发光二极管造成的损伤大，得到了器件输出功率与非电离能损值大小的关系，证明了模拟结果趋势的正确性。　　 对于γ射线和中子，采用MCNP程序进行模拟计算，模拟了同一能量下γ射线和中子在封装器件和无封装器件中的能量沉积，地面实验数据对γ射线进行了验证，得到了能量沉积与器件输出功率变化的关系，为超辐射发光二极管的器件设计和封装提供了重要的参考价值。　　 最后简要介绍了超辐射发光二极管的制作工艺，通过改进相关工艺，以提高超辐射发光二极管抗辐照能力。