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随着存储器的快速发展,传统Flash存储器尺寸已经接近其物理限制。阻变存储器(RRAM)凭借其结构简单、功耗低、读写速度快、储存密度高以及与现有CMOS工艺相兼容等特点,被认为是下一代非易失性高密度存储器的有力竞争者。金属氧化物薄膜作为阻变开关介质层材料表现出了良好的阻变特性,是当前阻变存储器的研究热点,但要进一步实用化,则需解决阻变器件的重复性和稳定性问题,并明确器件阻变特性的机理,基于此,我们研究了ZnO基多元金属氧化物阻变开关的制备与特性。论文主要讨论了采用射频磁控溅射方法在不同衬底(玻璃、蓝