古斯-汉欣位移是指光束发生反射时,反射光束在入射面内偏离几何光学路径的横向位移,它在近场光学探测、集成光学、光电器件等领域中具有十分重要的地位。通常光频段的古斯-汉欣位移只有微米量级,限制了它在光学传感器等光电器件中的实际应用。因此,增强以及调控古斯-汉欣位移的工作成为该领域的研究热点之一。目前基于石墨烯-介质复合结构调控古斯-汉欣位移的方案在可见光和光通信波段已经得到广泛研究,通过调节石墨烯电导率即可实现古斯-汉欣位移的灵活调控,但是中红外波段的调控研究却鲜有报道。在中红外波段,石墨烯-六方氮化硼超晶具备双曲可调特性,该结构表面反射光束的古斯-汉欣位移不仅可以实现调控,六方氮化硼的谐振特性还能使位移得到增强。本文中,我们以中红外波段TM极化波为入射光,研究了石墨烯-SiO₂结构和石墨烯-六方氮化硼结构表面反射光束古斯-汉欣位移的调控,具体工作如下:1、基于石墨烯-SiO₂结构的古斯-汉欣位移调控。用稳态相位法和传输矩阵理论分析了石墨烯-SiO₂结构中反射光束的古斯-汉欣位移,研究了费米能级、石墨烯层数和弛豫时间对古斯-汉欣位移的影响。结果表明,古斯-汉欣位移随费米能级、石墨烯层数增大而减小,费米能级由0.2eV增至0.5eV,位移减小17倍波长;石墨烯层数由1增至4,位移减小21.3倍波长。弛豫时间能调控古斯-汉欣位移的大小,但是不能改变符号。2、基于石墨烯-六方氮化硼结构的古斯-汉欣位移调控。理论分析了石墨烯-六方氮化硼结构中反射光束的古斯-汉欣位移,研究了费米能级、石墨烯层数、弛豫时间及六方氮化硼厚度对古斯-汉欣位移的影响。结果表明,古斯-汉欣位移同样随费米能级、石墨烯层数增大而减小,费米能级由0.2eV增加至0.5eV时,位移减小48.6倍波长;石墨烯层数由1增加至4,位移减小51.8倍波长,调控效果更加明显;调控弛豫时间和六方氮化硼厚度可以改变古斯-汉欣位移的大小和符号。与石墨烯-SiO₂结构相比,石墨烯-六方氮化硼结构表面反射光束的古斯-汉欣位移得到了增强。