进入二十一世纪以来,能源问题日益严重,半导体光催化技术可以有效地缓解问题。二氧化钛因表面光生载流子易复合,缺少界面催化反应活性位点,导致催化活性低,应用受到很大限制。本文采用双助剂协同修饰二氧化钛,提高其光催化制氢性能,开展了两方面探索工作:（1）MoS_x-rGO/TiO₂光催化材料的光还原法制备及其制氢机理研究;（2）MoS_x-MnO_x/TiO₂光催化材料的光还原法制备及其制氢机理研究。具体研究工作如下:第一,采用两步光还原法,将石墨烯（GO）还原成还原石墨烯（rGO）,负载在TiO₂表面,形成rGO/TiO₂材料;然后在rGO上光还原（NH₄）₂MoS₄,形成无定形MoS_x修饰的rGO/TiO₂,即高效的MoS_x-rGO/TiO₂光催化材料。光催化制氢结果说明:双助剂修饰的半导体材料MoS_x-rGO/TiO₂（0.5 wt%）光催化制氢性能达到206.6μmol h^-1,分别是TiO₂、rGO/TiO₂（1 wt%）和MoS_x/TiO₂（0.5 wt%）的30.9、6.3和1.4倍;并且在多次制氢过程中,催化性能保持稳定。MoS_x-rGO/TiO₂光催化的机理:rGO作为电子助剂快速转移TiO₂的光生电子,促进界面电荷转移;无定形MoS_x提供活性位点,加快TiO₂界面催化反应,提高MoS_x-rGO/TiO₂光催化材料的制氢性能。第二,采用两步光还原法,先将KMnO₄还原成MnO_x,负载在TiO₂表面,形成MnO_x/TiO₂材料;然后在TiO₂表面光还原（NH₄）₂MoS₄,形成无定形MoS_x修饰的MnO_x/TiO₂,即高效的MoS_x-MnO_x/TiO₂光催化材料。光催化制氢结果说明:双助剂修饰的半导体材料MoS_x-MnO_x/TiO₂（0.5 wt%、0.05 wt%）光催化制氢性能达到225.3μmol h^-1,分别是TiO₂、MnO_x/TiO₂（0.05 wt%）和MoS_x/TiO₂（0.5 wt%）的168.1、3.9和1.5倍;并且在多次制氢过程中,催化性能保持稳定。MoS_x-MnO_x/TiO₂光催化的机理:MnO_x作为空穴助剂快速转移TiO₂的光生空穴,促进界面电荷转移;无定形MoS_x提供活性位点,加快TiO₂界面催化反应,提高MoS_x-MnO_x/TiO₂光催化材料的制氢活性。