【摘 要】
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1983年,日本九洲大学的小西进(Konish)提出了超高密度布洛赫线存储器(BLM)方案.BLM存储技术就是抒磁泡拉长为条状磁畴,用条畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)对作为信息的载体,以VBL
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1983年,日本九洲大学的小西进(Konish)提出了超高密度布洛赫线存储器(BLM)方案.BLM存储技术就是抒磁泡拉长为条状磁畴,用条畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)对作为信息的载体,以VBL对的有无来体现信息的"1"和"0".因而畴壁中的VBL链稳定性对BLM的设计和使用有着十分重要的意义.另一方面,作为磁化夭矢量微磁结构的VBL的深入研究对丰富微磁学理论也是非常重要的.首次实验研究了压缩状态下IID畴壁中VBL的温度稳定性.为了使BLM有一个最佳的工作温度范围,不仅要研究VBL的形成与温度的关系,而且要研究共存于条畴畴壁中的大量同号VBL的温度稳定性.IID是一种更加有代表性的磁畴,对其温度特性的研究会更加完善磁畴壁的静态理论,从而带动BLM方案的实施.BLM方案中,在信息的传递过程中,作为信息的载体--条形磁畴,要经常处于压缩状态.所在,在压缩状态下硬条畴畴壁中VBL的一些物理特性的研究就显得尤为重要.由于温度和直流偏场直接影响着畴畴壁中VBL的分布和稳定性,所以该文分别从这两个角度对IID畴壁中VBL的分布以及消失机制进行了实验研究.
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