第Ⅱ类哑铃畴相关论文
1983年,日本九洲大学的小西进(Konish)提出了超高密度布洛赫线存储器(BLM)方案.BLM存储技术就是抒磁泡拉长为条状磁畴,用条畴畴壁......
超高密度固态布洛赫线存储器(BLM)是以硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBLs)作为信息载体，硬磁畴畴壁中VBLs产生及其稳定性的研究对超高......
实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内，第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响，研究发现，在室温到T0......
