适应于宽带、移动和光通讯系统要求的高频设备的需求随着数据传输和通讯系统的发展而增加，声表面波滤波器（SAWF）是现代通讯系统的主要器件之一，其中心频率F=V／L，由材料的声表面波波速V和叉指电极的周期L决定。由于现有工艺条件的所限，很难通过常规材料（如石英、铌酸锂、钽酸锂等）实现器件的高频化。随着CVD金刚石薄膜生长技术的发展，利用含高声速材料金刚石薄膜的多层膜体系，在现有工艺条件下实现高频（GHz）声表面波器件是可行的。而且由于金刚石的高热传导性和高弹性系数，即便是在低频段其性能也超过了常规材料。有鉴于此，本论文结合天津市自然科学重点基金资助项目：“2.5GHzSiO₂／ZnO／IDT／金刚石膜生表面波滤波器的研究”，对研制构建高频声表面波滤波器的ZnO／金刚石多层膜体系进行探索。主要工作如下：首先，获得了采用热丝CVD法在硅衬底上成功制备均匀致密取向明显的金刚石薄膜的工艺方法。通过灯丝碳化提高了金刚石薄膜的纯度；利用预沉非晶态金刚石过渡层的方法提高了形核密度，从而获得适于构建高频SAWF的致密的金刚石薄膜。其次，采用磁控溅射法制备了适于构建SAWF的C轴定向的ZnO薄膜。采用直流磁控溅射法在硅衬底制备C轴定向的ZnO薄膜，并讨论了工艺参数对薄膜取向的影响；在此基础上，采用射频磁控溅射法在金刚石薄膜衬底上了高C轴取向的ZnO薄膜。此外，利用XRD、LAMAN、AFM等测试手段对薄膜的声表面波特性进行了测试和分析。分析表明所获得的金刚石／ZnO多层膜体系适于构建高频声表面波滤波器。