二氧化锡（SnO₂）是一种双电离氧空位的n型半导体材料,具有良好的光电性能、稳定性好、成本低、环保等特点,在抗静电薄膜、透明导电电极、隔热薄膜、气敏传感器等应用。本论文基于抗静电薄膜在玻璃上的应用,研究了玻璃表面SiO₂基疏尘薄膜的制备及其组织和性能。通过溶胶-凝胶浸渍提拉法制备了SnO₂-SiO₂薄膜、ATO-SiO₂薄膜和SiO₂/ATO-SiO₂双层薄膜。采用一系列的表征手段,如X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）、X射线光电子能谱仪（XPS）、原子力显微镜（AFM）、紫外-可见-近红外分光光度计（UV-VIS-NIR）、霍尔效应测试仪和落灰实验,研究了Sn/Si摩尔比对SnO₂-SiO₂薄膜组织及性能的影响、Sb掺杂对SnO₂-SiO₂薄膜组织和性能的影响和SiO₂层对ATO-SiO₂薄膜组织和性能的影响。主要的研究结果如下:（1）Sn/Si摩尔比对SnO₂-SiO₂薄膜组织及性能的影响。纯SiO₂薄膜为无定型结构,SnO₂-SiO₂薄膜为四方金红石结构。随着Sn/Si摩尔比的增加,SnO₂-SiO₂样品的结晶度提高,平均晶粒尺寸增加。方块电阻持续下降。透过率先减小后增加再减少。疏尘性能基本呈增强的趋势,具有良好疏尘效果,最佳为50%。综合考虑,本论文选用Sn/Si摩尔比为1.50的SnO₂-SiO₂薄膜。（2）Sb掺杂对SnO₂-SiO₂薄膜组织和性能的影响。Sb掺杂未改变SnO₂-SiO₂样品的晶相,仍为四方金红石结构,没有新相的生成。随着Sb掺杂浓度的增加,ATO-SiO₂薄膜的颗粒尺寸先减少后增加再略有减小。透过率降低。方块电阻先减小后增加。疏尘性能先增强后降低,优于SnO₂-SiO₂薄膜。当Sb掺杂浓度为12 mol%时,方块电阻最小,为4.64×10⁶W/□,疏尘效果最好,达到64%。（3）SiO₂层对ATO-SiO₂薄膜组织和性能的影响。SiO₂/ATO-SiO₂双层薄膜的三维表面形貌受SiO₂基层的影响,呈柱状结构生长。透过率、疏尘性能优于单层ATO-SiO₂薄膜。随着SiO₂基层薄膜碱性催化剂的增加,SiO₂/ATO-SiO₂薄膜的粗糙度显著增加。方块电阻先降低后增加。透过率先增加后减小。B-2/ATO-SiO₂薄膜的方块电阻最小,疏尘性能最好,透过率最高,为86.952%。