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氧化锌(ZnO)作为非常重要的无机化合物,一直以来扮演着非常重要的角色。近几十年来,在当今和未来的纳米产业中,对ZnO潜在应用的研究非常活跃,如光电器件,发光二极管,光电探测器,气敏元件等。由于相对宽的禁带(3.37 eV)和高的激子束缚能(60meV)提供了它在室温发光的潜力,ZnO被称为第三代半导体材料。此外,原材料廉价而且丰富,较好的生物相容性,无毒,良好的化学和热稳定性和抗辐射能力,这都让ZnO在未来的许多应用中是一种优先考虑的材料。目前,非极性生长ZnO薄膜制备的研究主要集中在物理方法,如