自Geim,Konstantin及其合作者成功剥离出石墨烯以来,二维纳米材料便备受瞩目。特别是过渡金属硫族化合物因其优异的电学和磁学性质,被广泛应用于太阳能电池、集成电路及自旋器件等光电子领域和纳米器件领域。在本文中,我们基于第一性原理方法详细计算了V族（N,P和As）和VII族（F,Cl,Br和I）元素掺杂MoSe₂及ZrS₂单层体系的晶格常数、形成能、跃迁能级及光学参数,结果表明掺杂对其能带结构与光学特性有明显的影响。相关研究结果如下:（1）当N,P和As原子分别取代MoSe₂单层中Se原子时,计算表明MoSe₂单层的晶格常数、电子结构、形成能以及跃迁能级均可通过掺杂得到有效地调控,掺杂体系表现为p-型掺杂。掺杂体系的形成能随着第V主族原子序数的增加而增加,但跃迁能级逐渐降低。同时形成能的计算结果表明在富钼实验条件下更容易将N,P和As原子掺入到MoSe₂单层中。另外通过分析磁矩,我们认为As原子掺杂体系基态无磁性,而其他掺杂体系均显示出磁性。（2）当F,Cl,Br和I原子掺入到MoSe₂单层时,数值结果显示掺杂体系表现为n-型掺杂。同时形成能的计算也显示出富钼实验条件下体系形成能更低,这就表明在富钼实验条件下掺杂更易实现。此外,随着第VII主族原子序数的增加,形成能和跃迁能级均表现出单调增加的趋势。尤其是F原子掺杂体系的形成能和跃迁能级最低,这表明F杂质可以在MoSe₂单层中提供最有效地n-型载流子。（3）对于N,P和As原子分别取代ZrS₂单层中S原子的情况,掺杂体系为p-型掺杂。随着杂质原子半径增大,形成能逐渐增加,跃迁能级逐渐降低。同时形成能的计算表明ZrS₂单层在富锆实验条件下比在富硫实验条件下更稳定。特别是As原子掺杂的体系具有磁性,磁矩主要由Zr-4d轨道以及As-4p轨道所贡献。（4）对于F,Cl,Br和I原子掺入到ZrS₂单层的情况,我们发现在富锆实验条件下更容易将杂质原子引入到ZrS₂单层中且VII族原子成为施主杂质致使体系表现为n-型掺杂。另外当原子半径增大时,形成能与跃迁能级均表现出逐渐增加的趋势。对于光学性质的研究,数值结果显示未掺杂的ZrS₂单层光吸收系数较低,在可见光能谱范围内的光吸收作用较弱,说明本征ZrS₂单层为透明材料。V和VII族原子掺杂之后,体系仍保持透明。特别是当As原子取代ZrS₂单层中S原子后,掺杂体系的光吸收边发生红移。