随着IGBT技术的成熟和发展，以及IGBT的耐压和通流能力不断加强，作为大功率全控型器件，IGBT在大功率和特大功率应用中逐渐显示出了比GTO，BJT，IGCT等的优越性。然而在较大功率应用中，单个IGBT的容量仍然不能满足要求，为了提高电力电子装置的功率等级，需要多个IGBT的串联和并联来提高容量。本文首先介绍和分析了IGBT的基本结构、工作原理、静态和动态特性以及基本参数。在此基础上归纳了IGBT串联和并联技术的主要应用场合，并总结了国内外IGBT串联和并联技术。然后从自身参数和外围电路两方面分析了引起IGBT串联电压不均衡的原因，对引起IGBT串联电压不均衡的原因进行了归纳和总结。在此基础上讨论了传统RCD方法的可行性和局限性。同样，对引起并联IGBT电流不均衡原因进行了分析和归纳，并介绍了采用栅极增加互感器实现IGBT并联电流均流的可行性和局限性。针对IGBT串联电压不均衡问题，提出了一种基于栅极控制的IGBT串联均压方法，并对其结构和原理进行了阐述和分析，并对电路结构参数的选择和优化进行了研究，然后通过PSPICE论证了该方法的可行性，并与传统的RCD方法比较了该方法的优越性。针对传统RCD缓冲电路的局限性，提出了一种负载侧控制的IGBT串联均压方法，同样对其结构和原理进行了详细的阐述和分析，然后通过PSPICE验证表明该方法能很好地实现串联IGBT电压的均衡，并与传统的RCD方法比较了其优越性。最后研究了通过栅极电阻调节实现IGBT并联模块间电流均衡的方法。在分析了整晶圆IGBT内部元胞电流不均衡的主要原因的基础上，提出通过改变栅极电阻调节来实现整晶圆IGBT内部元胞间并联的电流均衡。在PSPICE中通过对整晶圆元胞的模拟仿真表明该方法能很好的克服IGBT内部元胞电流不均衡问题。