在现代无线通信系统应用中,为了获得更高的数据传输速率,信号包含多路相位和幅度多变的副载波,导致信号峰均比(PAR)很高。为了满足系统对线性度很高的要求,功放必须能够产生峰值功率和按信号线性分布的所有功率级。所以,功放大部分工作在平均功率级,很高的功率回退,势必造成平均效率相对偏小。　　 到目前为止,由于实现相对简单且效率改善有明显的优势,Doherty技术得到了广泛的研究。为了在实际应用中尽可能得到优异的性能,很多研究者提出很多改进结构,并证实有很好的性能改善。基于成熟的半导体工艺,采用LDMOS器件的功率放大器已经广泛被应用。　　 本文是基于新一代半导体器件(GaN HEMT),结合改进型的Doherty结构,设计一款峰值输出功率达44dBm,效率大于50％的S波段功率放大器。在线性度方面,单音回退6dB的IMD3为-25dBc。结合了国内外对于Doherty结构的研究,针对传统两路Doherty结构实际应用中存在的弊端,总结出一系列解决方案。文中利用射频仿真软件ADS和Cree的GaN HEMT大信号模型设计出单管的模板,并对输出网络、延迟线、驱动功率分配及偏压的优化,提高两路Doherty功放的性能。　　 根据论文要求,本文对三路Doherty结构功放进行了仿真设计。该结构是一种区别于传统结构且易于实现的三路Doherty。