作为新一代功率半导体器件,碳化硅(SiC)器件具有阻断电压高、高频特性好、通态损耗小以及耐高温等优良特性。近年来,随着商业化SiC器件的推陈出新,关于SiC器件应用的研究不断涌现。门极驱动是半导体器件研究中的关键技术之一,驱动技术研究对于新型半导体器件的应用有着重要意义。本文首先分析了SiC MOSFE T的驱动特性,详细阐述了驱动电路各部分的设计思路,在此基础上采用分立器件设计了一款驱动电路。其次,对SiC MOSFET的过流保护进行了研究,讨论了去饱和检测和电感检测两种过流检测方式,提出了完整的过流保护实现方案,并基于OrCAD PSPICE进行了过流保护电路的仿真实验。在上述研究的基础上,搭建了双脉冲测试平台,进行了SiC MOSFET驱动电路的性能测试。针对测试结果中反映的设计缺陷,展开了驱动电路的优化设计,有效控制了驱动电压VGS及漏极电流ID的振荡和尖峰,改善了驱动电路性能。此外,进行了过流保护电路的实验验证,结果表明,在SiC MOSFET的电流达到保护阈值时,过流保护电路可以及时、精确地切断驱动信号,保护器件和电路不受损害。本文通过理论分析、电路仿真及实验等手段,给出并验证了完整、可行的驱动电路及过流保护电路实现方案,为SiC MOSFET在电力电子电路中的广泛应用提供了有力支持。