自从1963年，美国科学家发现有机电致发光现象以后，人们对有机物发光越来越关注。1987年，美国华裔科学家邓青云博士利用超薄膜技术，制作了工作电压低，亮度高的两层发光器件，引起了全球科学家的广泛关注，从此以后对有机电致发光材料的研究不断深入，并取得了很大成就。如今OLED已经广泛应用在生活的各个领域，包括手机、灯光照明、柔性显示器、电子图书和电子报纸等。　　然而，相比于OLED的实验以及产品化进程的突飞猛进，OLED的理论研究相对滞后。目前，对有机载流子的注入、输运、复合机制以及接触效应的研究还有待进行深入的理解，从而更好的解决现阶段存在的问题。本文着眼于此，从无机半导体理论出发，结合有机半导体的一些研究成果，在理论上对OLED进行了一些有意义的研究。　　本文的研究内容主要包括：把半导体器件的漂移扩散模型，应用到有机电致发光器件中，利用差分迭代的方法，数字模拟单层结构OLED器件的稳态的相关性质。从理论上得到了相应的结论：当空穴的注入势垒很大时，电流是注入限制的，有机半导体内的载流子浓度和电场强度不随位置的变化而改变，当外加电压不是很大时热电流很大，并远远大于器件电流。当空穴的注入势垒很小是，电流是空间电荷限制的，由于没有镜像力引起的势垒降低，载流子与电场强度强烈依赖于位置关系，并且器件内部没有隧道电流。将半导体器件经典的漂移-扩散模型，应用到OLEDs器件的建模中，结合热电子发射和隧穿电流的边界注入条件，采用差分迭代的方法，联立求解泊松方程和电流连续性方程，在异质结接口考虑了Hopping传输以及复合电流方程，从而建立有机半导体器数值模拟多层异质结OLEDs器件的稳态电学特性（如I-V曲线、载流子分布、电场分布等）和电光特性（V-B曲线）得到了如下结论：由于多层有机半导体异质结器件的载流子在异质结接口堆积，因此在接口处电场出现阶跃，电子空穴的复合率在这里也最大。激子在第二个接口处产生，然后扩散衰退，有金属电极淬灭的情况下，激子衰减很快，没有金属电极淬灭的情况下，激子的衰减速度相对很慢。激子的扩散长度决定了发光的区域。在计算光学模型时，模拟了该器件的EL光谱，当器件长度变长时，EL光谱发生红移，亮度变弱。