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近年来，准一维纳米结构材料成为了纳米科技领域的前沿和热点，吸引了广泛的关注。这是因为一维纳米材料是研究电子传输、光学和力学等物性的尺寸和维度效应的理想系统，且在介观领域和纳米器件制造方面具有重要的应用前景。本文主要采用电化学沉积技术，同时结合了阳极氧化铝模板(AAM)，合成了准一维纳米线阵列。主要研究了Ni5Sb2、InSb、AgSbTe2合金纳米线阵列的可控制备和物性表征;研究了如何获得宏观有序、尺寸和结构可控的纳米线阵列材料;探索了准一维纳米材料的电化学及光学性能。论文内容和创新点主要包括以下几个方面:
1、高度有序AAM的制备
通过分析影响AAM有序度、孔径和厚度的因素，确定了制备模板的最佳工艺参数:在0.3 mol/L硫酸溶液中，氧化电压为25 V，温度为5℃，氧化时间为10小时;在0.3 mol/L草酸溶液中，氧化电压为40 V，温度为5℃，氧化时间为16小时。
2、Ni5Sb2纳米线阵列的制备与电化学性能
利用直流电沉积技术在AAM中制各出沿[022]方向择优生长的Ni5Sb2纳米线阵列。测试和分析了Ni5Sb2纳米线阵列的充放电性能。
3、InSb纳米线的取向控制及光学性能
利用脉冲电沉积技术在AAM中制备出生长取向分别垂直于(220)和(400)晶面的InSb纳米线阵列。测试和分析了InSb纳米线的拉曼光谱和红外吸收光谱特性。
4、单晶AgSbTe2纳米线阵列的制备和光学性能
首次利用直流电沉积技术在AAM中制备出生长取向垂直于(200)晶面的AgSbTe2纳米线阵列，并申报了发明专利。测试和分析了AgSbTe2纳米线的拉曼光谱和近红外吸收光谱。