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随着美国英特尔公司在“2016英特尔信息技术峰会”中宣布10纳米芯片制造工艺将在2017年下半年开始投产,集成电路的集成度越来越高,器件的特征尺寸不断缩小,将逐渐接近其物理极限,因此集成电路的进一步发展遇到了极大的挑战。将先进的光子学器件与成熟的微电子集成电路技术相结合,被认为是推动摩尔定律发展的有效技术方案。目前,如何克服硅的间接带隙能带结构,获得高效、稳定的硅基光源是实现硅基光电集成的关键课题之一。通过掺杂调控,即在硅基薄膜中引入合适的杂质作为发光中心,进而获得能满足光互连需求的光电子发光器件是