【摘 要】
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该文研究了制备硅、碳化物、氮化物、氧化物等一维纳米材料的方法、工艺参数和生长机制;利用透射电子显微学(TEM)方法测量了单根SiN等陶瓷纳米线的抗弯强度.采用化学气相沉积
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该文研究了制备硅、碳化物、氮化物、氧化物等一维纳米材料的方法、工艺参数和生长机制;利用透射电子显微学(TEM)方法测量了单根Si<,3>N<,4>等陶瓷纳米线的抗弯强度.采用化学气相沉积法(CVD),以相对价廉、安全的SiCl<,4>为硅源,制备了最小直径为10nm的Si纳米线和直径小于100nm的SiC纳米线,研究并优化了制备Si纳米线的工艺参数.开发了种特别简单的制备纳米线的方法,在常压和不使用催化剂的情况下,通过在合适的温度加热原料并通入一定的流动气体,制备了直径小于100nm的Si<,3>N<,4>、SiC、Ca<,2>O<,3>、ZnO纳米线以直径大部分在小100nm的SiO<,2>非晶纳米线.采用纳米碳管限制反应制备了GeO<,2>、AlN、Al<,2>O<,3>纳米线和Al<,2>O<,3>空心纳米线.研究了测量单根纳米线(管)力学性能的TEM方法.
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