硒化镉晶体是一种新型ⅡA-ⅥB族宽带隙化合物半导体材料，具有闪锌矿和纤锌矿两种晶体结构。其中纤锌矿结构晶体原子序数高(分别为Z_Cd=48，Z_Se=34，平均Z_CdSe=41)，禁带宽度较大（1.74eV），在室温高偏压下漏电流小，电荷收集效率高，能在室温条件下工作；作为探测器材料，与CdTe和HgI₂等材料相比，硒化镉的力学、热学和化学稳定性好。因此，CdSe晶体是一种有希望代替Si、Ge、CdTe和HgI₂等的室温核辐射探测器新材料，用其制作的探测器和各种仪器可广泛用于探矿、无损检测、核医学、环境监测、海关安全检查、核武器突防和高能物理研究等领域。为此，制备高品质、大直径的CdSe单晶体已成为了许多发达国家竞相研究的热点课题。本文通过对晶体生长机理和方法的较全面研究，结合CdSe晶体气相生长的特点，设计制作了晶体生长新装置，采用垂直无籽晶气相提拉法生长出尺寸达φ15mm×40mm的CdSe单晶体，并对晶体的性能进行了表征；用晶体制作成CdSe探测器，在室温下获得了对²⁴¹Am-59.5Kev的能谱。研究设计、制备了新的升降装置和双温区生长炉，通过控制双温区炉上下加热温度来调节温场，获得适合CdSe气相生长晶体的较好温场。采用原料提纯和晶体生长在同一石英管中进行的新工艺，先在水平管式炉中逐段驱赶提纯原料，然后将提纯后的原料封结在石英管的生长安瓿一端，在双温区炉中采用垂直无籽晶气相提拉法生长出尺寸达φ15mm×40mm的CdSe单晶体。对生长的CdSe晶体进行解理试验，发现晶体存在两个解理面：（110）和（100）面；采用XRD，分别对（110）和（100）面做单晶回摆谱，衍射峰呈高斯对称分布，半高宽分别为0.585°和1.862°，说明晶体的结晶性较好；采用红外分光光度仪对晶体进行测试，结果表明：在400cm^-1～7800cm^-1范围，晶体的透过率＞62％，与近似计算得出的红外透过率接近；紫外测试结果表明：截止频率波长约为730nm，通过计算得出晶体的禁带宽度为1.7eV，实验中没有观察到杂质能级；对晶体（110）和（100）面进行腐蚀观察发现，腐蚀密度为10⁴cm^-2量级；Ⅰ—Ⅴ特性测试，计算出晶片的电阻率为10⁹（Ω．cm）量级，适合制作室温下工作的核辐射探测器件；选用该晶体制作成MSM结构探测器，进行能谱响应测试实验，在室温下对²⁴¹Am源的59.5Kev的能量分辨率接近10％，且具有较好的工作稳定性。综上所述，采用垂直无籽晶气相提拉法生长的CdSe晶体，质量较高、适合室温核辐射探测器制作。