【摘 要】
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利用高温脉冲激光沉积及物理蒸发的方法,成功地合成出高纯度、高产率、直径分布均匀的硅纳米线(SiNW).并利用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)及高分辨电镜(HREM)、X射 线衍射(X
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利用高温脉冲激光沉积及物理蒸发的方法,成功地合成出高纯度、高产率、直径分布均匀的硅纳米线(SiNW).并利用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)及高分辨电镜(HREM)、X射 线衍射(XRD)、拉曼光谱等手段对硅纳米线的形态、显微结构、缺陷和成分等进行了研究. 结果表明,硅纳米线具有与大块硅相同的晶体结构轴时,在硅纳米线中存在大量的结构缺陷,如孪晶、层错等.这些缺陷对于硅纳米线的生长及形貌有重要作用.通过改变生长条件,可以得到不同尺寸和形态的硅纳米线.在不同条件下对硅纳米线进行氧化处理,得到了一系列具有不同尺寸晶态硅核心的硅纳米线,并研究了它们的光致发光谱(PL).在313.5nm的紫 外光激发下,硅纳米线同时具有红、绿、蓝三色发光.红光PL与量子尺寸限帛 应有关,而蓝、绿发光则来源于表面氧化层的缺陷发光.利用同样的设备和方法,还制备出具有六方结构的晶态二氧化锗纳米线(GeONW)及其它一系列准一维纳米结构,并用以上手段对之进行了 研究.
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