随着大数据和人工智能等领域的发展,人们对于数据处理能力的要求越来越高,基于冯·诺依曼架构的传统计算机的数据处理能力无法满足未来海量数据处理的需求。为此,基于人脑特殊结构的类人脑计算机以其可塑性强、数据处理能力强、具备记忆与学习能力的特点成为计算机未来发展的重要方向。突触是构成人脑的一种基本单元,同理,仿突触器件也是类人脑计算机的一个基本单元器件。氧化物双电层薄膜晶体管与突触具有结构相似性,具备模拟突触特性的重大潜力。因此,氧化物双电层薄膜晶体管的制备与仿突触特性研究对于未来计算机发展具有重要意义。本文针对氧化物双电层薄膜晶体管开展了以下研究:（1）制备了以非晶铟镓锌氧化物材料（Amorphous-Indium Gallium Zinc Oxide,a-IGZO）作为沟道层和金属银（Ag）作为源漏电极的晶体管,研究了沟道层厚度对a-IGZO晶体管性能的影响,并分析了性能随厚度变化的原因,实验证明a-IGZO薄膜厚度为25nm时,器件具有最佳的晶体管特性,可以满足突触晶体管的制备需求。（2）利用光固化乙酸乙酯苯（HEA）和氯化锂（LiCl）电解质材料成功制备了HEA（LiCl）离子凝胶薄膜,并利用柔性衬底聚对苯二甲酸乙二醇酯和HEA（LiCl）离子凝胶制备了双电层晶体管。进而研究了不同LiCl浓度对离子凝胶的电容特性和晶体管性能的影响,探究了a-IGZO薄膜溅射时间对双电层晶体管性能的影响。发现离子凝胶配比为HEA:LiCl=3 m L:0.2 m L、溅射时间为15 min时器件性能最好,器件的电流开关比达到10~6、工作电压小于3 V。（3）探索了所制备的氧化物双电层薄膜晶体管的突触特性。首先,研究了器件在电刺激和光刺激下的突触特性,发现器件在电信号和光信号下均有较好的可塑性和突触响应特性;然后,探索了器件在光电双重信号刺激下的突触特性,发现器件可以实现光信号和电信号的协同耦合作用,具有更加广阔的应用空间;最后,利用所制备的器件实现了类人脑视觉学习和巴甫洛夫狗条件反射两种典型应用,证明器件具有一定的应用潜力。综上所述,本文基于a-IGZO薄膜和HEA（LiCl）离子凝胶制备了氧化物双电层薄膜晶体管,并探索了其性能优化设计方法,进而探索了器件在光电突触电子学方面的应用。所制备的器件显示了良好的电与光突触性能,并成功模拟了类人脑视觉学习和经典条件反射行为,在类人脑计算机方面具有一定的应用潜力。