GaSe晶体自1972年被发现可用于非线性频率转换装置以来,因其具有较宽的透光范围、较低的吸收系数、大的双折射系数和二阶非线性系数以及较高的激光损伤阈值等优点,逐渐引起了各国科研工作者们的注意,但是其较差的机械性能严重限制了它的应用。近年来,人们研究发现,通过在纯GaSe晶体中掺杂杂质元素,可以大大改进晶体的物理性能,尤其是机械特性。目前,关于掺杂GaSe晶体的光学特性和频率转换特性方面的实验研究还相对较少,在一些方面还需要发展和完善。本论文总结了前人关于GaSe及其掺杂晶体光学特性的研究成果,并在此基础上系统地对In掺杂晶体Ga1-xInxSe (x = 0, 0.001, 0.016, 0.030)的光学透过特性、倍频相位匹配特性以及温度色散特性进行了研究,并将其与纯GaSe晶体及S掺杂晶体GaSe1-xSx (x = 0.004, 0.023, 0.086, 0.091)的相关特性进行了对比,分析了各自特点,为使In掺杂GaSe晶体能够工作于大功率,高能量输出的频率转换装置中做出了努力。