晶粒长大是退火过程中的主要现象。材料在退火后的晶粒平均尺寸是衡量材料性能的一个重要指标，因此研究晶粒长大过程对提高材料性能有着重要的意义。　　再结晶结束后，受曲率驱动作用晶界产生迁移。　　本研究基于晶界迁移理论和元胞自动机方法，分别对等温过程曲率驱动下的三叉晶界、单晶粒及多晶粒的迁移规律进行了研究。　　研究结果表明:　　(1)三叉晶界的迁移规律与晶粒边数有关。当晶粒边数n＜6时，三叉晶界朝向晶粒内部迁移，晶粒缩小。当晶粒边数n＞6时，三叉晶界向晶粒外部迁移，晶粒长大。　　(2)二面角或转向角对三叉晶界系统的运动有着重要的影响。当晶粒边数n＜6时，1/2二面角θ的取值范围为(0，p/3]，三叉晶界对系统的阻碍随着θ的增大而减弱;晶粒边数n＞6时，转向角θ的取值范围为[p/3，p/2)，三叉晶界对系统的阻碍时随着θ的增大而增强。　　(3)单晶粒的形变规律与晶粒的边数有关。边数n＜6的晶粒会逐渐缩小，边数n＞6的晶粒会逐渐增大，边数n=6的则认为保持不动。可归结为曲率驱动下晶界朝向曲率中心迁移的结果。　　(4)在多晶粒中，由于晶界不够平直，产生曲率驱动的迁移，晶界均朝向曲率中心迁移，直到达到晶界平直的稳定状态。