作为二维过渡金属二氮化物的代表之一,二氮化钼（MoN₂）由于其潜在的应用前景,近年来受到了广泛的关注。到目前为止,四方晶格的二氮化钼（Tetra-MoN₂）被证实为MoN₂中最稳定的结构,它是一种具有间接带隙的非磁性半导体。鉴于二维磁性材料广阔的应用前景,对二维Tetra-MoN₂进行磁性调控是有意义的。使用第一性原理研究了在单层（4×4）Tetra-MoN₂超胞吸附过渡金属元素、碱金属元素、一些非金属元素（B原子、C原子、N原子、P原子、O原子及S原子）以及卤素元素,并且在此基础上施加微小的双轴拉伸应力和压缩应力,以及注入一定浓度的载流子（包括空穴和电子）,从而对单层（4×4）Tetra-MoN₂超胞进行磁性调控。研究发现,过渡金属元素（Fe原子、Mn原子）、碱金属元素（Li原子、Na原子和K原子）、非金属元素（C原子、O原子、S原子）以及卤素元素（Cl原子、Br原子和I原子）吸附之后,不论采取哪种措施,都不会诱导出单层（4×4）Tetra-MoN₂超胞的磁性。而一个B原子吸附后,单层（4×4）B-Tetra-MoN₂超胞拥有0.65μ_B的磁矩,再加上4%的双轴拉伸应力,体系磁矩减少了0.30μ_B;如果同时施加4%的拉伸应力和浓度为1.0×10¹⁴cm^-2的载流子（包括空穴和电子）在单层（4×4）B-Tetra-MoN₂超胞,体系磁性消失。单层（4×4）N-Tetra-MoN₂超胞和P-Tetra-MoN₂超胞拥有接近1.00μ_B的磁矩,再加上4%的拉伸应力体系磁性也几乎不变。不过一旦在单层（4×4）N-Tetra-MoN₂超胞中加入载流子（包括空穴和电子）,体系则变为非磁性的。而单层（4×4）P-Tetra-MoN₂超胞同时施加4%的拉伸应力和浓度是1.0×10¹⁴cm^-2的电子,体系磁性减小了0.84μ_B,如果把注入的电子换成等浓度的空穴,体系磁性消失。F原子吸附在Tetra-MoN₂表面后,氟化的四方晶格二氮化钼（F-Tetra-MoN₂）在N原子的极化p电子介导下,并在应力和电荷掺杂诱导下,F-Tetra-MoN₂表现出丰富的磁性变化。例如,单层（4×4）F-Tetra-MoN₂超胞中引入6%的双轴拉伸应力,此时单层（4×4）F-Tetra-MoN₂超胞产生0.90μ_B的磁矩。并且,当掺杂一个空穴时,磁矩增加到2.00μ_B左右;而当掺杂一个电子时,自旋极化消失。F原子的吸附率或者F原子之间的距离也会引起磁性的剧烈变化。吸附在Tetra-MoN₂表面的F原子有聚集的趋势,导致较强的、甚至100%的自旋极化。这些结果为进一步优化Tetra-MoN₂的磁性提供了一条有效途径,并对自旋器件的发展作出了贡献。