基于CMOS工艺的电感电容压控振荡器的研究与设计

来源 :中国科学技术大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ZHANGXIANYU0000
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在射频收发机中,振荡器是一个主要的核心模块之一。其主要作用是为收发机系统提供稳定的频率源以及参考时钟。而振荡器的相位噪声性能会影响收发机整体的性能。因此,有关振荡器相位噪声的研究一直是一个主流的研究课题。本文针对学术界以及工业界最常用的传统差分交叉耦合电感电容振荡器的相位噪声与其尾电容的关系进行了讨论。利用脉冲敏感函数推导了尾电容较大情况下振荡器的相位噪声的闭环表达式。并且还通过讨论得到了尾电容不仅可以抑制振荡器中偏置电流源的电流热噪声转换为相位噪声,而且还提高了振荡器的电流效率。在一些无线射频收发机中,需要具有两路相互正交的本振信号。通常可以使用正交振荡器实现这样的正交本振信号。与单一的振荡器相同,正交振荡器的相位噪声仍然在很大程度上影响着整个收发机系统的性能。并且,正交振荡器的相位精度性能也影响着收发机系统的误码率。因此,研究正交振荡器的相位噪声和相位精度性能也是一个研究热点。在本论文中对两种常见的并联耦合LC正交振荡器的相位噪声进行了分析。利用脉冲敏感函数进行分析与计算得到了其中偏置电流源的电流热噪声贡献的相位噪声大小。并且得到了 1/f2区域的相位噪声完整的闭环表达式。论文还对传统的串联耦合LC正交振荡器进行了分析。并在传统串联耦合LC正交振荡器的基础上提出了一种交流偏置的串联耦合正交振荡器。通过加入偏置电路提高了 LC谐振腔工作时的品质因数,并且抑制了振荡器中耦合MOS管的闪烁噪声转换为相位噪声。该正交振荡器在保证高的相位精度的同时,具有比传统串联耦合正交振荡器更低的1/f3和1/f区域的相位噪声。该交流偏置正交压控振荡器的设计在SMIC 180-nm CMOS工艺下完成,后仿结果表明,在1.8 V电源电压下,振荡器的平均功耗为10.6 mW,输出频率调谐范围为2.24~2.69 GHz,输出频率为2.60 GHz时的相位噪声为-72.9 dBc/Hz@10 kHz、-127.5 dBc/Hz@1 MHz,综合评价系数 FOM 为 185.5 dBc/Hz,平均相位误差仅为0.1°。
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