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石墨烯在基础物理学和电子学应用方面的潜能吸引了人们的关注。由于六角氮化硼具有原子级平坦的表面,因而被认为是石墨烯的优良衬底而被大加研究。以氮化硼为衬底的石墨烯结构具有极高的电子迁移率,在实验上已经高质量制备。基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,我们讨论了衬底为h-BN层的施加小应力、空位和进行不同掺杂对双层h-BN/Graphene的结构和性质的影响。首先研究了双层h-BN/Graphene材料的结构和性质,与先前的研究工作进行对比,有很好的相符。随后研究了小应变对双层结构的带隙的调整,研究了衬底