碳化硅陶瓷由于其较高的弹性模量、适中的密度、较小的热膨胀系数、较高的导热系数、耐高温、耐腐蚀等优良的物理性质普遍用于陶瓷球轴承、阀门、半导体材料、陀螺、测量仪等领域。但是碳化硅陶瓷是硬脆材料，加工困难且成本较高。研磨抛光是改善碳化硅陶瓷表面质量，提高材料去除率的有效方式，采取适当的加工工艺是高效加工的关键。因此本文选择碳化硅圆环端面为研究对象，探讨其研磨机理、研磨轨迹以及研磨抛光的工艺。本文的研究工作包括以下几个方面：1.说明了硬脆材料研磨的基本过程，分析了碳化硅材料的去除模型。继而综合了硬脆材料的去除形式的内容，分析了影响材料去除形式转变的因素，并用实验进一步阐述研磨过程中材料的去除形式和磨料浓度、压力等因素的关系。2.选择单面研磨对工件进行加工，推导出单面研磨下工件的运动轨迹。继而对其运动轨迹进行仿真，分析了研磨盘与工件的转速比、偏心距和工件上任意一点与工件中心的距离对研磨轨迹的影响。并通过实验说明工件的研磨均匀性。3.研磨分为粗研和精研两道工序。为了获得比一般加工工艺加工效率高，加工的表面质量好的工件表面，采取正交设计法对研磨进行参数优化分析，得到优化的研磨工艺参数（研磨压力、研磨速度和研磨液浓度），并用此工艺参数对工件进行加工。4.为了获得高质量的碳化硅圆环端面，通过对影响抛光的主要因素（抛光垫、抛光压力、抛光盘转速、磨料粒度和抛光液浓度）进行单因素实验，并用实验得到的工艺参数对工件进行抛光加工，最终达到研究的目标。