电磁武器的迅猛发展以及武器系统的电子化智能化,导致现代军事战争中战场环境充斥着电磁干扰问题。本文以某机电引信为研究对象,通过对置于强电场下的弹体和引信的数值仿真,分析了强电磁场耦合规律以及进入机电引信内部的电场分布情况;仿真研究了典型半导体器件受脉冲电压干扰的损伤机理;实验研究了模拟引信起爆控制电路抗强电场辐照干扰情况。具体工作内容如下:基于某机电引信,分析了其工作原理,建立了弹体、引信以及引信内部电路的简化模型。利用仿真软件HFSS进行了引信材料、表面开孔、导线贯通等情况下的数值仿真,得到了引信屏蔽效能变化规律,以及引信腔内电场强度分布情况,并对仿真结果进行了分析。仿真结果表明,引信材料和表面开孔对引信屏蔽效能影响不大,而贯通导线会导致屏蔽效能下降,电磁能量大量耦合进入引信内部,导线周围电场强度偏高。首先依据引信内部的电场强度大小,计算了耦合到电路中的电压。然后对二极管和NMOS管建立了二维仿真模型,对模型进行了脉冲电压注入仿真研究,分别从器件内部电场强度、电流密度以及电子浓度等方面对其作用过程进行了分析,得到了二极管和NMOS管在脉冲电压作用下的损伤机理。仿真结果表明:施加反向脉冲电压,二极管因二次击穿出现大电流集中效应,大电流所在位置热量集中,最后会造成热损伤失效;正常工作状态下NMOS管在漏极施加脉冲电压,会导致漏极-衬底处的PN结雪崩击穿,造成漏极-衬底处PN结的电场与电流密集,热量集中会导致最终损伤,而非工作状态下短沟道NMOS管在漏极施加脉冲电压,会造成意外导通。对模拟引信进行了强电场辐照实验,研究了应用不同材料以及不同电子器件的模拟引信抗强电场辐照情况。结合实验结果和第3、4章仿真分析,可知:在强电场辐照条件下,引信起爆控制电路的微处理器或者导通控制器件会受到一定干扰,半导体器件会发生暂时失效或细微损伤,导致电路系统内阻变小,电路出现类似短路现象,因而引信电子系统需要加强电磁防护措施。并从屏蔽干扰源和提高电路抗干扰性两方面,提出引信抗电磁干扰的方法。