论文部分内容阅读
记忆合金薄膜集温度、应力感知和驱动为一体,比表面积小、输出功率大,且兼具体材料的各种优点,在微机电领域有广阔的应用前景。传统Ti Ni合金阻尼峰温域窄,马氏体相为高阻尼相,但由于其相变温度低,限制了其在高温环境中的应用。本文研制了高相变温度、宽温域、高阻尼的Ti-Ta-Zr-Fe记忆合金薄膜。采用直流磁控溅射的方法制备合金薄膜。通过原子力显微分析、扫描电子显微分析研究溅射工艺参数对薄膜成分和表面形貌的影响,优化了工艺参数;采用X射线衍射仪、透射电子显微镜考察了不同Fe含量薄膜的相组成和微观组织结构;