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近年来,硅微纳米线因其优异的物理、化学性质受到了人们的广泛关注。相对硅纳米线阵列(SiNWAs)而言,硅微米线阵列(SiMWAs)亦有着优异的光吸收能力和高效的载流子收集效率,可发展成廉价、高效、稳定的太阳能电池。此外,大间距、形貌可控的硅微米线有利于外包覆层的完全渗透,形成良好的P-N结或异质结,提高器件的光电转换效率。然而,对于如何得到大间距、大比表面积形貌均匀的硅微米线,以及如何构建硅微米线双层光吸收体系以提高器件的光电性能仍然有大量工作有待深入研究。本论文主要通过金属辅助化学刻蚀法制备了形貌