二维层状半导体由于其独特的电子和光电性能而受到广泛的关注,PtS2较零带隙石墨烯和其他较大带隙的过渡金属硫族化合物相比,具有随厚度变化的可调谐带隙。单层PtS2的半导体带隙为0.25 e V,随着层数的增加,一是PtS2的带隙可以从0.25 e V增加到1.6 e V;二是材料特性从半导体转变为半金属。制备厚度、尺寸可控的具有良好光电性能的PtS2,对PtS2的产业化具有重要的理论和实际价值。本文以硫粉、铂基底为原料,采用化学气相沉积法制备了PtS2薄膜。探讨了生长温度、升温速率对PtS2形貌的影响;对PtS2的组成、结构、形貌、光电特性进行了表征,力求建立PtS2光电特性与形貌的关联。具体研究内容如下:（1）以硫粉为原料,在尺度约为4 cm~2,厚度为3.03 nm的铂片上,采用化学气相沉积法制备PtS2薄膜。采用原子力显微镜、X射线光电子能谱、拉曼光谱等技术对所制备的薄膜进行了表征,证明了制备的材料为多层PtS2。（2）对制备PtS2的影响因素进行了探索。研究了升温速率、生长温度对PtS2形貌的影响。分别从化学动力学和热力学的角度对PtS2薄膜的生长机理进行了解释。（3）构筑PtS2薄膜光电子器件。通过物理掩膜版法在PtS2薄膜上蒸镀Au、Cr电极块,并进行光电性能探测。（4）研究了高温下PtS2薄膜的光电性能。通过改变光电测试平台中热台温度,对PtS2薄膜进行升温,探究其在不同温度下的光电性能。（5）通过湿法转移技术,将PtS2薄膜转移至BFO基底表面,构筑PtS2-BFO异质结。取得的研究成果总结如下:（1）在探究制备PtS2的影响因素过程发现,纳米铂在升温的过程中发生铂金属团聚,生成颗粒状PtS2。通过调整升温速率,降低S与Pt的反应速率,构成S-Pt-S键来阻止纳米铂的团聚。在生长温度在600℃,升温速率为2℃/min时所制备的PtS2薄膜成膜性较好。（2）在PtS2薄膜光电性能探索中发现,所制备的PtS2薄膜具有稳定的红外宽光谱（532 nm-2200 nm）,进一步探究发现厚度为6.9 nm的PtS2薄膜,光电响应I-T图信噪比最高,响应最好,光电流可达70 n A。（3）在PtS2薄膜高温光电性能研究中发现,随着温度的升高,输出电流、暗电流、光电流都增大。得出PtS2可以作为新型电子器件和高温光电器件。（4）在2V偏压下,探索PtS2-BFO异质结的光电响应。发现在1550 nm波长激光照射下,随着栅压的增加,其光电流信号开/关明显、曲线线性好、重复且稳定。光电流上升时间达到了毫秒级。较纯PtS2薄膜,响应时间提升了两个数量级。