本论文对硅基发光材料的微观结构，内部缺陷，成键形态和发光性能进行了实验研究，并在此基础上研究了SiNy过渡层对薄膜的发光性能和纳米晶硅生长机理。　　 我们采用微波等离子体增强化学气相沉积技术制备富硅氧化硅SiOx薄膜，通过生长工艺和真空退火温度系统地研究了薄膜结构缺陷和发光性能。通过电子顺磁共振谱和正电子湮灭谱分别发现薄膜中存在着E，Pb，NOV等顺磁性缺陷和[SiO3]2-等结构缺陷；通过紫外-可见发光光谱观察发现，发光强度的变化规律与正电子湮灭多普勒展宽谱的S参数变化规律非常一致，结合红外傅立叶变换等测试手段探讨了紫外-可见发光中心；通过红外-可见发光光谱的观察发现，发光强度和峰位存在两种变化规律，与氧气和硅烷的流量比有直接关系。　　 在研究富硅氧化硅的基础上，我们在SiOx薄膜中间加入一层SiNy薄膜，通过真空等时退火对薄膜的相分离和发光性能做了系统的分析。我们发现通过SiNy过渡层的引入使未退火薄膜的发光性能得到了明显的提高；SiNy过渡层厚度的不同使发光强度的变化的规律不尽相同；SiNy过渡层使SiOx本身的相分离程度得到缓解，使发光强度的最大值出现在900℃真空退火时；随着退火温度的增加，SiNy薄膜的厚度逐渐减少，SiNy发光的贡献逐渐降低，而更多的是SiOxNy合金薄膜的贡献。