本文采用高温固相法合成了几种适合紫外LED芯片激发的硼酸盐荧光材料。主要内容如下：(1)利用高温固相法合成了LiBaB9O15:Eu3+红色荧光粉。样品的发射光谱主峰位于618 nm,在400 nm,470 nm处的激发峰强度较强,随着Eu3+浓度增加,发光强度增强,未发现浓度猝灭现象。电荷补偿离子K+的加入有效地提高了样品的发光强度,提高了约40%。该荧光粉既可作为“蓝+黄”模式的白光LED的红色补光粉,也可以作紫外芯片激发三基色荧光粉的白光LED中的红粉。(2)合成了Ba3Tb(BO3)3绿色发光材料,从它的发光性质可以看出：激发光谱中包含360～400 nm的一宽带,与产生近紫外-紫(350～410 nm)辐射的InGaN管芯匹配很好。加入激活剂Ce3+后,其发光强度有很大提高,存在Ce3+对Tb3+的能量传递；Ce3+的最佳掺杂浓度为10%。(3)在第二个实验的基础上,制备了Eu3+掺杂的Ba3Tb(BO3)3红色荧光粉。样品的主激发峰值位于490 nm,次峰位于383 nm,适合紫外和蓝光LED芯片的激发。当Eu3+浓度为2%,样品的发光强度最大。(4)在单一基质白光LED方面,研究了Dy3+激活的SrAl2B2O7发光材料,并考察Dy3+浓度及碱土金属离子Li+、Na+和K+作为电荷补偿离子对样品发光性能的影响,其中以K+离子的电荷补偿效果最好。根据Dexter理论判断出其自身浓度猝灭机理为电偶极→电偶极相互作用结果。