随着集成电路制造的关键尺寸不断缩小,光刻工艺窗口的大小成为了制约半导体代工生产可靠性和稳定性的重要指标。为了在保证图像解析度的前提下克服工艺焦深不足的难题,双重曝光、照明优化等工艺窗口增强技术被广泛应用于实际生产中。在65nm及以下先进工艺制造中,亚分辨率辅助图形技术作为其中一种工艺窗口增强技术被应用于光学临近效应修正OPC中。其中基于规则和基于模型的亚分辨率辅助图形技术是两类常用的辅助图形添加技术,两种技术拥有各自的优势,也各有弊端,如何根据实际生产环境和工艺特点选取最为合适的技术是业界各大芯片制造厂保障稳定量产的先决条件。针对65nm以下先进工艺中的接触孔层,本文从图像解析度增强技术和工艺窗口增强技术切入,结合工艺开发和量产需求提出了一种将基于规则和基于模型有效结合起来的混合亚分辨率辅助图形OPC技术。本文主要实验包括测试掩膜板的设计,辅助图形最优参数的选取以及辅助图形OPC模型的建立,并进一步对两种不友好辅助图形进行了优化,在尽最大可能发挥两种辅助图形技术优势的同时,有效避免程式开发困难,OPC修正不一致等现存问题。混合辅助图形OPC技术在保证辅助图形添加准确性和OPC修正精度的前提下,较基于模型的辅助图形技术缩短了60%以上的OPC运算时间,大大提高了流片效率,从而加速了客户产品上量,为公司量产业务带来经济效益。