MgB<,2>超导薄膜的制备及其性质研究

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【摘要】

：

自从2001年简单金属间化合物MgB_2的超导电性被发现以来，其超过传统BCS理论框架的超导转变温度和优异的超导特性立即引起了超导物理学界的关注，人们对这种神奇材料的认识也在不断的深入，对其实际应用的开发也日新月异。本论文研究中，我们采用化学气相沉积(CVD)加后退火的异位两步生长的方法和双温区原位混合物理化学气相沉积(HPCVD)一步生长的方法，在Al_2O_3多晶基片上成功地制备出大面积MgB

【作者】

：

王松

【机构】

：

贵州大学

【发表日期】

：

2007年06期

【关键词】

：

MgB2 超导薄膜混合物理化学气相沉积异位退火原位生长双温区

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