微电子机械系统是21世纪科技与产业的热点之一,而微细加工技术又是MEMS发展的重要基础。在MEMS领域中,微结构需要具有较大深宽比的,LIGA技术是制备微结构的重要微细加工技术,因此成为MEMS微细加工中十分重要的技术。但LIGA技术需要昂贵的同步辐射X射线源,因此限制了其广泛的应用。本文采用近紫外光作为曝光光源的UV-LIGA技术代替LIGA技术制备微结构。负性光刻胶SU-8具有良好的光敏性,胶结构图形的侧墙较陡直,能够实现较大的深宽比,为复杂结构的三维微机械器件的制作提供了保证。采用新型SU-8光刻胶在UV-LIGA技术基础上,在不同衬底上制备了高深宽比MEMS微结构。研究了前烘、曝光、显影和后烘四个工艺参数对制备高深宽比微结构的影响;优化紫外厚胶深光刻工艺,制备出深宽比为2:1的微结构。