CaF<,2>包埋的ZnO纳米晶及F钝化的ZnO薄膜的光电性质研究

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氧化锌(ZnO)是具有高激子束缚能(60meV)的宽带隙半导体(室温下约3.3eV)。由于其特殊的压电、磁电、电光、声光等物性,而备受关注。良好的ZnO发光性质—即高效的近带边紫外发射和可忽略的相关于结构缺陷的深能级可见发射,是其得以广泛应用的基础。本文中制备了氟化钙(CaF2)包埋的ZnO纳米晶和氟(F)钝化的纳米ZnO薄膜,获得了优化的ZnO紫外和可见发射。此外,对于ZnO:F薄膜的电学特性也作了初步探讨。通过离子注入技术结合后热处理的方法,制备了包埋于CaF2基质中的ZnO
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