该论文的工作主要是利用扫描隧道显微成像技术研究有机分子在石墨基底表面吸附行为,同时利用扫描隧道谱对巨磁电阻材料的导电特性进行了测量.对于DDME分子,我们发现它物理吸附在HOPG基底形成大面积平整的薄膜.但是吸附在HOPG表面的DDME分子在常温下很容易脱附,3到4周左右就能从石墨表面完全脱附.随着覆盖度的不同DDME分子在HOPG表面吸附形成两种不同二维有序结构,即DDME分子分别采取"直立"和"平躺"两种不同取向吸附在HOPG表面.我们认为由于氰基和次甲基之间的相互作用形成氢键是形成这些结构的主要因素.用扫描隧道显微镜对于室温下液体环境蛋氨酸分子在HOPG表面吸附形成的二维有序结构.实验发现,在大气环境下蛋氨酸分子在HOPG基底表面吸附形成多种结构.蛋氨酸分子之间Van der Waals力的作用和氢键作用是形成这些有序结构的动因.由于吸附物蛋氨酸同HOPG衬底相互之间作用较弱.因此HOPG是一种用来研究二维情况下氨基酸和有机分子吸附的理想衬底.另外,我们还应用STS研究了巨磁电阻材料在常温下空间不均匀性,第一,在STS图中看到了相分离产生的不同隧道电导区域,在常温铁磁相同时观察到了空间局域金属导电态和绝缘体态.第二,通过STM直流形貌图和STS图的对比,看到了LSMO材料不同的相区域,和表面起伏并没有很大关系.这些对于揭示CMR现象提供了很好的实验数据.