随着5G时代的到来,无线移动通信技术的发展越来越需要极高的数据传输速率,由此超宽带技术和高频技术受到越来越广泛的关注。单片微波集成电路（MMIC）技术在微波频段优越的功率特性和噪声性能,有助于高性能射频电路的实现。对于整个无线收发机而言,它将多种功能的电路集中到同一个系统里,因此需要功率放大器满足在更大带宽范围内的正常工作,从而使整个系统正常工作。因此研究出具有超宽带特性,同时高增益、高稳定性、低功耗的超宽带功率放大器具有重大的意义和必要性。本文研究了一款基于CMOS工艺的超宽带功率放大器。主要研究内容为:1)在输出端使用峰化电感,利用并联峰化技术拓展了输出匹配的带宽;2)在输入端引入并联电阻负反馈结构以降低输入端的品质因子,从而实现输入阻抗匹配的带宽;3)使用了一种基于电流复用模式的电路结构,该结构可以在保证功率放大器高增益的同时有效地降低电路的功率损耗;4)输入端采用π匹配网络进行输入阻抗的匹配,有效提升输入阻抗的匹配并拓展其带宽。本文利用SMIC 40nm工艺库进行原理图和版图的设计与仿真,仿真结果表明,该功率放大器在15.0-27.0GHz的宽带范围内,输入匹配S₁₁参数低于-9d B,输出匹配S₂₂参数低于-10d B,增益高于10d B,在中心频点处可以获得的最高为19.6%的功率附加效率,功耗低于25m W,同时具备优越的线性度和稳定性。