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各种射频、惯性、机械谐振器等MEMS器件通常在高真空环境下才能保证优良的性能和较高的品质因数，因而需要进行真空封装。本文提出采用真空电阻熔焊来实现MEMS器件真空封装的新方法。通过理论、数值模拟、实验等方法系统地研究了MEMS器件真空电阻封装过程中的关键技术问题，制定MEMS器件的真空电阻熔焊封装的工艺标准。其主要研究内容和创新如下：通过大量封装试验和对真空封装技术分析的基础上，摸索出真空电阻熔焊影响真空的关键因素。根据真空环境进行焊接的新特点，研制了具有自主知识产权的真空电阻熔焊设备；该设备将手套箱体、真空烘箱、抽真空系统、焊接机构融为一体，实现了电阻熔焊技术与真空封装工艺的有机结合，保证了真空封装的质量。真空封装过程中需监测MEMS器件的真空度。本文采用石英晶振的谐振电阻随环境真空度变化而变化的原理实现了MEMS器件小体积内的真空度测量，并深入研究了各种影响真空度测量的因素。对真空电阻凸焊过程进行热-电-结构三场耦合有限元模拟。对电阻凸焊预压阶段的接触过程进行数值模拟，研究了其中凸焊筋位移场、应力场、温度场、电流场的分布规律。为实现真空度在10Pa以下的MEMS器件真空封装，创造性地提出了带缓冲腔的真空壳体来保证真空腔体泄漏率，设计出了MEMS器件真空封装专用外壳。为提高真空封装的成品率，分析了金属镀层对封装质量的影响，进行了真空封装外壳焊接后的焊接强度、真空度保持实验，保证了真空封装工艺的可靠性。提出了一套基于真空电阻熔焊的MEMS器件真空封装工艺。应用真空物理的相关理论，建立了MEMS器件真空电阻熔焊封装模型，分析引起封装腔体的真空度降低的主要原因。通过真空封装专用外壳封装泄漏率的理论计算，对真空封装MEMS器件进行真空寿命计算。试验结果显示自行设计的真空封装壳体可以满足长时间真空度保持的要求，证明了真空电阻熔封装工艺的可靠性。