硅埋置型微波多芯片模块封装关键技术研究

来源 :中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:youjian_youjian
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随着无线通讯的迅猛发展,人们对小型化、便携性、高性能和低成本提出了更高的要求。微波多芯片模块(Microwave Multichip Module,MMCM)封装技术在通讯领域工作频率不断向高频发展的大前景下引起了更为广泛的关注。本文提出了一种基于有机薄膜多层互连的硅埋置型MMCM封装结构,能同时集成多个功能芯片和所需的无源部件,并通过结构参数优化,提高了封装效率、传输性能和集成度。   不同于传统的以陶瓷或有机基板布线为衬底、以引线键合和倒装焊为芯片引出方式的MMCM封装,本文提出的硅埋置型MMCM封装结构是以普通硅作为基板,以有机聚合物BCB薄膜作为层间介质层的多层互连结构。硅具有优异的热导率,提供了良好的散热条件,同时与埋置芯片有着相近的热膨胀系数,实现了良好的热匹配;而作为Low-K材料的BCB具有极佳的高频性能;有机薄膜多层互连中可以集成大量无源器件,可大大提高封装集成度;以热压焊金凸点为芯片引出方式,可有效降低高频寄生效应。   本文首先介绍了基于BCB薄膜多层互连的硅埋置型MMCM封装结构,尤其是正面埋置型结构。然后详细研究了该封装结构的制作工艺,包括基板制作、芯片引出及多层互连结构。最后通过电磁场仿真优化和实验验证,研究了该结构的高频性能,主要包括:BCB介质对被埋置的MMIC的影响;用于芯片垂直引出的热压焊金凸点高频性能模拟;四种传输线垂直转换结构的模拟和测量;以及嵌入多层结构中的电感特性模拟研究。传输线垂直转换结构的测量结果显示了良好的高频性能;MMIC芯片在封装前后的高频性能差别也微乎其微。
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