全MOS电压基准源因其兼容CMOS工艺、可在低压情况下高效高性能地工作等优点,被广泛应用于数模混合电路。然而,在系统应用中电路较宽的工作温度范围对全MOS电压基准源的设计提出了新的挑战。因此,如何确保基准电路在宽温度条件下高效可靠工作的同时,实现低温度系数、高电源抑制比、低功耗等成为全MOS电压基准电路研究的重点。本论文首先对常规温度下的全MOS电压基准源的设计、宽温度范围工作环境带来的挑战和应对方法进行了详细的调研和深入的理论分析,指出全MOS电压基准源可在宽温度条件下工作的关键在于相关参数之间的温度补偿,并最终设计出一种宽温度全MOS电压基准源电路。通过热电压与阈值电压进行一阶温度补偿,采用温度检测电路检测温度范围,并在极限工作温度范围内对电路进行二阶温度补偿降低温度系数。针对全MOS电压基准源功耗与电源抑制比之间的矛盾,通过反馈增加电源纹波抵消通路,提高宽温度全MOS电压基准源的电源抑制比。最终,本论文兼顾功耗、版图面积、电源电压等指标之间的折中,设计出可工作在-25℃～125℃范围内的低温度系数、高电源抑制比的宽温度全MOS电压基准源。本论文设计的宽温度全MOS电压基准源在Chart 0.18μm CMOS工艺下完成了电路和版图设计。仿真结果表明:本论文设计的宽温度全MOS电压基准源电路可在-25℃～125℃范围内工作,电源电压为1.8V时,输出电压为992.62mV,温度系数为18.05ppm/℃,总电源电流为4.429μA,最低工作电源电压为1.03V,电源抑制比可高达-55.9dB@1kHz,达到了设计指标的要求。