太赫兹波是指频率范围在0.1 THz至10 THz,介于微波和红外之间的电磁波。近年来,随着微纳加工、超快光学、半导体材料与器件的飞速发展,太赫兹技术的研究价值和应用前景正逐渐被人们所发掘,有望在下一代通信与计算系统、无损安检、生物医药、食品与农产品安全检测、环境监测等领域得到广泛应用。为实现这些应用,研制出能够对太赫兹波进行高效调控的太赫兹功能器件显得非常重要。本文对液晶、钙钛矿介质材料在太赫兹频段的可调电磁特性进行了研究,设计了连续可调的超表面器件,并制作了样件进行测试、分析与功能验证。主要研究内容包括:在90 GHz至140 GHz频段内,设计了一种基于液晶的太赫兹电控超表面吸波体,计算分析了其在谐振频点处的表面电流分布和能量损耗密度情况,通过外部电场改变液晶层的等效介电常数,实现对于太赫兹反射波的调控。同时采用紫外光刻以及湿法刻蚀技术,制作了30×30单元超表面吸波体阵列。测试结果表明,当偏置电压在0 V到30 V之间变化时,吸波体的谐振频点可实现101.5 GHz至117.95GHz范围内的动态调控,可调谐率达到13.9%,整个工作频段内,吸波体的吸收率始终维持在90%以上。为了实现更高的调控速度,在液晶器件设计、测试及制作工艺研究基础上,开展了钙钛矿（Cs Pb IBr2）太赫兹调控器件的研究。设计了光控和电控钙钛矿可调超表面器件,分析研究了钙钛矿在325 GHz至500 GHz频段内的电控和光控特性。样件测试结果显示,在卤素冷光源的照射下,在369.1 GHz处,实现了0.51 d B的谐振幅度变化。通过加载电流从0 A到0.53 A,器件谐振频点实现了从410.575 GHz至400.6 GHz的偏移,同时在406.025 GHz实现了13 d B的幅度变化。