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二硫化钼(Mo S2)薄膜在电学和光学方面有着独特的性质,以及具有直接带隙的特性,使得其在场效应管器件和传感器等领域内有着广阔的应用前景。然而,如何改进二硫化钼材料的制备方法、提高二硫化钼器件性能以及优化器件结构是促进其商业化和产业化快速发展的关键所在。本论文以二硫化钼作为研究对象,阐述了几种二硫化钼的制备方法,从理论和实验方面对二硫化钼器件结构的光吸收率进行了研究,并且对二硫化钼探测器件在光电特性方面进行了测试。建立了金阵列-Mo S2器件结构物理模型,通过金的表面等离子体对光场的局域化效应来提高